變頻器（Variable-frequency Drive，VFD）模塊機逆變控制模塊毀壞大多數(shù)是因為光耦電路毀壞導(dǎo)致一個橋臂上的兩個電源開關(guān)器件同一時間通斷所導(dǎo)致的。VFD逆變功率模塊毀壞是無論在矢量素材VFD還是環(huán)保節(jié)能VFD等別的直流變頻機器設(shè)備上普遍到的常見故障，處理這類難題僅有查到毀壞的直接原因，并最先清除再度毀壞的很有可能，才可以拆換逆變控制模塊，不然換上去的新控制模塊會再毀壞。
一、VFD故障判斷
逆變功率模塊關(guān)鍵有IGBT、IPM等，查驗外型是不是已爆開，接線端子與相接印制電路板是不是有燒損印痕。用數(shù)字萬用表查C-E、G-C、G-E是不是已通，或用數(shù)字萬用表測P對U、V、W和N對U、V、W電阻器是不是有不一致，及其各驅(qū)動器輸出功率器件操縱極對U、V、W、P、N的電阻器是不是有不一致，為此分辨是哪一輸出功率器件毀壞。
二、VFD故障成因分析
（1）設(shè)備自身品質(zhì)不佳。
（2）外界負荷有比較嚴重過電流量、不平衡，電機某相繞阻對地短路故障，有一相繞阻內(nèi)部短路故障，負荷機械設(shè)備卡死，兩色擊穿，輸出電纜線有短路故障或?qū)Φ囟搪饭收稀?
（3）負荷里接了電容器，或因走線不善對地電容器很大，使整流管有沖擊性電流量。
（4）客戶電力網(wǎng)工作電壓太高，或者有較強的一瞬間過電壓，導(dǎo)致過電壓毀壞。
（5）機內(nèi)輸出功率開關(guān)管的過電壓消化吸收電源電路有毀壞，導(dǎo)致不可以合理消化吸收過電壓而使IGBT毀壞。
（6）耦合電容因時間久了脆化，容積降低或內(nèi)部電感器增大，對母線槽的過電壓吸收力降低，導(dǎo)致母線槽上過電壓太高而毀壞IGBT。一切正常運作時母線槽上的過電壓是逆變電源開關(guān)器件單脈沖關(guān)閉時，母線槽控制回路的電感器儲能技術(shù)變化而成的。
（7）IGBT或IPM輸出功率器件的前面光學(xué)防護器件因擊穿造成 輸出功率器件也擊穿，或因在印制電路板防護器件位置有浮塵、濕冷導(dǎo)致點火擊穿，造成 IGBT、IPM毀壞。
（8）不適度的實際操作，或設(shè)計產(chǎn)品手機軟件中有缺陷，在影響和啟動、待機等不穩(wěn)定狀況下造成左右兩輸出功率電源開關(guān)器件一瞬間另外通斷。
（9）遭雷擊、房頂漏水侵入，臟東西進到、檢查員誤碰等出現(xiàn)意外。
（10）經(jīng)檢修拆換了濾波器電力電容器，因該電容器品質(zhì)不太好，或收到電容器的線比原先長了，使電感器量提升，導(dǎo)致母線槽過電壓力度顯著上升。
（11）前面整流管毀壞，因為主開關(guān)電源前面進入了交流電流，導(dǎo)致IGBT、IPM毀壞。
（12）維修拆換功率模塊，因沒有靜電感應(yīng)防護措施，在電焊焊接實際操作時毀壞了IGBT。或因維修中排熱、擰緊、絕緣層等解決不太好，造成 短時間應(yīng)用而毀壞。
（13）串聯(lián)應(yīng)用IGBT，在拆換時沒有考慮到型號規(guī)格、生產(chǎn)批號的一致性，造成 各串聯(lián)元器件電流量不勻而毀壞。
（14）VFD內(nèi)部維護電源電路（過電壓、過電流量維護）的某元器件毀壞，喪失維護作用。
（15）VFD內(nèi)部某組開關(guān)電源，尤其是IGBT驅(qū)動器級+、-開關(guān)電源毀壞，更改了輸出值或2組開關(guān)電源間絕緣層被擊穿。
